2N3055 von SGS Microelettronica SpA
25.11.2019
meine Einschätzung: ORIGINAL
Hier sieht man einen 2N3055 aus dem Hause SGS SGS Microelettronica SpA. Er wurde im Jahr 1982 gebaut.
Der Transistor zeigt sich, zwar mit einigen Flecken, von seiner besten Seite.
Hier sieht man ein Merkmal, was ich bisher nur an diesem Exemplar gesehen habe. An der einen Seite findet sich eine Null und ein Strich wieder. Ob das eine Markierungshilfe für
die automatische Montage, oder was anderes war...ich kann es nur raten.
Das eigentliche DIE ist wirklich nicht sehr groß, kann aber dennoch die geforderten Parameter einhalten.
Sehr auffällig ist auch die Grundplatte, auf der das DIE geklebt wurde. Sie besteht komplett aus Kupfer !! Das leitet die Wärme sehr schnell vom DIE weg. KLASSE !
Eine Vergrößerung auf das DIE, zeigt wunderbar wie die Bonddrähte im Verhältnis zum DIE recht dick sind und wie sie auf das DIE aufgebracht wurden.
Ich würde das DIE auf etwas mehr als 4-5mm² schätzen. Wirklich nicht sonderlich groß.
Ich habe wirklich etwas gebraucht, um aus dem schwachen LOGO Druck ein Unternehmen ausmachen zu können. Letzlich wurde ich hier fündig.
Der Deckel zeigt das Logo noch etwas genauer.
Wunderbar sieht man das kleine, aber sehr sauber gearbeitete DIE. Ferner gelegene Flächen, bezogen auf den Bonddraht, sind mit kleineren Flächen ausgeführt. Dadurch
bildet sich diese Fingerförmige Struktur aus.
Der gebondetete Draht, wurde durch aufbringen von Druck unter einwirkung von Ultraschallschwingungen befestigt. Die dadurch auftretenden Diffusionsvorgänge befestigen den Draht
dauerhaft und Form schlüssig.
Di / 08.03.2022
